Транзистор: N-MOSFET; полевой Технические параметры
- Drain-source voltage: 25V
- Gate charge: 26нC
- Gate-source voltage: ±20В
- Housing: TO252
- Manufacturer: Taiwan Semiconductor
- Mount: SMD
- Polarisation: unipolar
- Polarity: полевой
- Transistor type: N-MOSFET
- Мощность: 23W
- Сопротивление в открытом состоянии: 9.5mΩ
- Ток стока: 25A