КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыПолевые транзисторы малой мощностиПолевые транзисторы малой мощностиIPD60R3K3C6BTMA1

IPD60R3K3C6BTMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 1,7А; 11,1Вт; PG-TO252, Infineon

Арт:
IPD60R3K3C6BTMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 1,7А; 11,1Вт; PG-TO252, Infineon
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: IPD60R3K3C6BTMA1
  • Производитель: Infineon
  • Доп.наименование: Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 1,7А; 11,1Вт; PG-TO252
  • Склад:
    Заказать Цены указаны без НДС

    Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 1,7А; 11,1Вт; PG-TO252 Технические параметры
    • Manufacturer: Infineon