КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыПолевые транзисторы малой мощностиПолевые транзисторы малой мощностиIPD079N06L3GBTMA1

IPD079N06L3GBTMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 50А; 79Вт; PG-TO252-3, Infineon

Арт:
IPD079N06L3GBTMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 50А; 79Вт; PG-TO252-3, Infineon
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: IPD079N06L3GBTMA1
  • Производитель: Infineon
  • Доп.наименование: Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 50А; 79Вт; PG-TO252-3
  • Склад:
    Заказать Цены указаны без НДС

    Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 50А; 79Вт; PG-TO252-3 Технические параметры
    • Manufacturer: Infineon