КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыПолевые транзисторы малой мощностиПолевые транзисторы малой мощностиBSB028N06NN3GXUMA1

BSB028N06NN3GXUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 90А; 78Вт, Infineon

Арт:
BSB028N06NN3GXUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 90А; 78Вт, Infineon
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: BSB028N06NN3GXUMA1
  • Производитель: Infineon
  • Доп.наименование: Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 90А; 78Вт
  • Склад:
    Изображение товара дано только в качестве иллюстрации. См. спецификацию продукта (pdf)
    Заказать Цены указаны без НДС

    Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 90А; 78Вт Технические параметры
    • Case: MG-WDSON-2
    • Drain current: 90A
    • Drain-source voltage: 60V
    • Gate-source voltage: ±20V
    • Manufacturer: Infineon
    • Mounting: SMD
    • On-State Resistance: 2.8MΩ
    • Polarisation: unipolar
    • Technology: OptiMOS™ 3
    • Transistor type: N-MOSFET
    • Мощность: 78W