BSB014N04LX3GXUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 180А; 89Вт; OptiMOS™, Infineon
Арт:
- добавить в избранное
- Арт:
- Наименование: BSB014N04LX3GXUMA1
- Производитель: Infineon
- Доп.наименование: Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 180А; 89Вт; OptiMOS™
- Склад:
Изображение товара дано только в качестве иллюстрации.
См. спецификацию продукта (pdf)
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 180А; 89Вт; OptiMOS™ Технические параметры
- Case: MG-WDSON-2
- Drain current: 180A
- Drain-source voltage: 40V
- Gate-source voltage: ±20В
- Housing: CanPAK™ MX
- Manufacturer: Infineon
- Mount: SMD
- Mounting: SMD
- On-State Resistance: 1.4MΩ
- Polarisation: unipolar
- Polarity: полевой
- Technology: OptiMOS™
- Transistor type: N-MOSFET
- Мощность: 89W
- Сопротивление в открытом состоянии: 1.4mΩ
- Ток стока: 180A
Документация
tmbsb014n04lx3g-dte.pdf
