Транзистор: IGBT; биполярный; 650В; 20А; TO220; 1,66ВDC Технические параметры
- Case: TO220
- Collector current: 20A
- Collector-emitter saturation voltage: 1.7V
- Collector-emitter voltage: 650V
- Forward voltage: 1.66VDC
- Gate - emitter voltage: ±30В
- Gate charge: 46нКл
- Housing: TO220
- Manufacturer: AOS
- Mount: THT
- Mounting: THT
- Polarisation: bipolar
- Pulsed collector current: 60A
- Transistor type: IGBT
- Turn-off switching energy: 0.27mJ
- Turn-off time: 135ns
- Turn-on switching energy: 0.47mJ
- Turn-on time: 51ns
- Мощность: 114W
- Напряжение коллектор-эмиттер: 650V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 1.7V
