КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыПолевые транзисторы малой мощностиПолевые транзисторы малой мощностиAOT15B65M1

AOT15B65M1, Транзистор: IGBT; биполярный; 650В; 15А; TO220; 1,77ВDC, AOS

Арт:
AOT15B65M1, Транзистор: IGBT; биполярный; 650В; 15А; TO220; 1,77ВDC, AOS
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: AOT15B65M1
  • Производитель: AOS
  • Доп.наименование: Транзистор: IGBT; биполярный; 650В; 15А; TO220; 1,77ВDC
  • Склад:
    Изображение товара дано только в качестве иллюстрации. См. спецификацию продукта (pdf)
    Заказать Цены указаны без НДС

    Транзистор: IGBT; биполярный; 650В; 15А; TO220; 1,77ВDC Технические параметры
    • Case: TO220
    • Collector current: 15A
    • Collector-emitter saturation voltage: 1.7V
    • Collector-emitter voltage: 650V
    • Forward voltage: 1.77VDC
    • Gate - emitter voltage: ±30В
    • Gate charge: 32нКл
    • Housing: TO220
    • Manufacturer: AOS
    • Mount: THT
    • Mounting: THT
    • Polarisation: bipolar
    • Pulsed collector current: 45A
    • Transistor type: IGBT
    • Turn-off switching energy: 0.2mJ
    • Turn-off time: 108ns
    • Turn-on switching energy: 0.29mJ
    • Turn-on time: 33ns
    • Мощность: 107W
    • Напряжение коллектор-эмиттер: 650V
    • Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 1.7V