КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыПолевые транзисторы малой мощностиПолевые транзисторы малой мощностиAOT10B60D

AOT10B60D, Транзистор: IGBT; биполярный; 600В; 10А; TO220; 1,52ВDC, AOS

Арт:
AOT10B60D, Транзистор: IGBT; биполярный; 600В; 10А; TO220; 1,52ВDC, AOS
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: AOT10B60D
  • Производитель: AOS
  • Доп.наименование: Транзистор: IGBT; биполярный; 600В; 10А; TO220; 1,52ВDC
  • Склад:
    Изображение товара дано только в качестве иллюстрации. См. спецификацию продукта (pdf)
    Заказать Цены указаны без НДС

    Транзистор: IGBT; биполярный; 600В; 10А; TO220; 1,52ВDC Технические параметры
    • Case: TO220
    • Collector current: 10A
    • Collector-emitter saturation voltage: 1.53V
    • Collector-emitter voltage: 600V
    • Forward voltage: 1.52VDC
    • Gate - emitter voltage: ±20В
    • Gate charge: 17.4нКл
    • Housing: TO220
    • Manufacturer: AOS
    • Mount: THT
    • Mounting: THT
    • Polarisation: bipolar
    • Pulsed collector current: 40A
    • Transistor type: IGBT
    • Turn-off switching energy: 0.07mJ
    • Turn-off time: 80.8ns
    • Turn-on switching energy: 0.26mJ
    • Turn-on time: 25ns
    • Мощность: 82W
    • Напряжение коллектор-эмиттер: 600V
    • Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 1.53V