Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 12А; 8,3Вт; DFN8 Технические параметры
- Case: DFN8
- Drain current: 12A
- Drain-source voltage: 30V
- Gate charge: 5.5нКл
- Gate-source voltage: ±20В
- Housing: DFN8
- Manufacturer: AOS
- Mount: SMD
- Mounting: SMD
- On-State Resistance: 8.2MΩ
- Polarisation: unipolar
- Polarity: полевой
- Transistor type: N-MOSFET
- Мощность: 8.3W
- Сопротивление в открытом состоянии: 8.2mΩ
- Ток стока: 12A