КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыПолевые транзисторы малой мощностиПолевые транзисторы малой мощности2N7000-G

2N7000-G, Транзистор: МОП n-канальный; 60В; 75мА; TO92; Канал: обогащенный, Microchip

Арт: 303-01-795
2N7000-G, Транзистор: МОП n-канальный; 60В; 75мА; TO92; Канал: обогащенный, Microchip
  • добавить в избранное
  • Арт: 303-01-795
  • Наименование: 2N7000-G
  • Производитель: Microchip
  • Доп.наименование: Транзистор: МОП n-канальный; 60В; 75мА; TO92; Канал: обогащенный
  • Склад:
    Изображение товара дано только в качестве иллюстрации. См. спецификацию продукта (pdf)
    Заказать Цены указаны без НДС

    Транзистор: МОП n-канальный; 60В; 75мА; TO92; Канал: обогащенный Технические параметры
    • Continuous Drain Current (Id): 200mA
    • Delivery Form: Bag
    • Drain-Source Voltage (Vds): 60V
    • Gate-Source Voltage: 30V
    • Height Units: 3
    • Manufacturer: Microchip
    • Mounting Type: Through Hole
    • ON Resistance (Rds(on)): 5Ω
    • Operating Temperature Max.: 150°C
    • Operating Temperature Min.: -55°C
    • Package Type: TO-92
    • Phases: Single
    • Power Dissipation (Pd): 1W
    • Transistor Polarity: N-Channel
    • Turn-OFF Delay Time: 10ns
    • Turn-ON Delay Time: 10ns