APT1003RSLLG, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1кВ; 4А; Idm: 16А; 139Вт; D3PAK, MICROSEMI
Арт:
- добавить в избранное
- Арт:
- Наименование: APT1003RSLLG
- Производитель: MICROSEMI
- Доп.наименование: Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1кВ; 4А; Idm: 16А; 139Вт; D3PAK
- Склад:
Изображение товара дано только в качестве иллюстрации.
См. спецификацию продукта (pdf)
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1кВ; 4А; Idm: 16А; 139Вт; D3PAK Технические параметры
- Case: D3PAK
- Channel kind: enhanced
- Drain current: 4A
- Drain-source voltage: 1kV
- Gate charge: 34нКл
- Gate-source voltage: ±30V
- Manufacturer: MICROSEMI
- Mounting: SMD
- On-State Resistance: 3Ω
- Polarisation: unipolar
- Power dissipation: 139W
- Pulsed drain current: 16A
- Technology: POWER MOS 7®
- Type of transistor: N-MOSFET
