КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыПолевые транзисторы малой мощностиПолевые транзисторы малой мощностиAPT75GP120B2G

APT75GP120B2G, Транзистор: IGBT; PT; 1,2кВ; 91А; 1042Вт; T-Max, MICROSEMI

Арт:
APT75GP120B2G, Транзистор: IGBT; PT; 1,2кВ; 91А; 1042Вт; T-Max, MICROSEMI
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: APT75GP120B2G
  • Производитель: MICROSEMI
  • Доп.наименование: Транзистор: IGBT; PT; 1,2кВ; 91А; 1042Вт; T-Max
  • Склад:
    Изображение товара дано только в качестве иллюстрации. См. спецификацию продукта (pdf)
    Заказать Цены указаны без НДС

    Транзистор: IGBT; PT; 1,2кВ; 91А; 1042Вт; T-Max Технические параметры
    • Case: T-Max
    • Collector current: 91A
    • Collector-emitter voltage: 1.2kV
    • Gate - emitter voltage: ±20V
    • Gate charge: 320нКл
    • Kind of package: tube
    • Manufacturer: MICROSEMI
    • Mounting: THT
    • Power dissipation: 1042W
    • Pulsed collector current: 300A
    • Technology: PT
    • Turn-off time: 359ns
    • Turn-on time: 60ns
    • Type of transistor: IGBT