КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыПолевые транзисторы малой мощностиПолевые транзисторы малой мощностиAPT70GR65B

APT70GR65B, Транзистор: IGBT; NPT; 650В; 65А; 595Вт; TO247-3, MICROSEMI

Арт:
APT70GR65B, Транзистор: IGBT; NPT; 650В; 65А; 595Вт; TO247-3, MICROSEMI
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: APT70GR65B
  • Производитель: MICROSEMI
  • Доп.наименование: Транзистор: IGBT; NPT; 650В; 65А; 595Вт; TO247-3
  • Склад:
    Изображение товара дано только в качестве иллюстрации. См. спецификацию продукта (pdf)
    Заказать Цены указаны без НДС

    Транзистор: IGBT; NPT; 650В; 65А; 595Вт; TO247-3 Технические параметры
    • Case: TO247-3
    • Collector current: 65A
    • Collector-emitter voltage: 650V
    • Gate - emitter voltage: ±30V
    • Gate charge: 226нКл
    • Kind of package: tube
    • Manufacturer: MICROSEMI
    • Mounting: THT
    • Power dissipation: 595W
    • Pulsed collector current: 260A
    • Technology: POWER MOS 8®
    • Turn-off time: 264ns
    • Turn-on time: 64ns
    • Type of transistor: IGBT