КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыПолевые транзисторы малой мощностиПолевые транзисторы малой мощностиAPT65GP60L2DQ2G

APT65GP60L2DQ2G, Транзистор: IGBT; PT; 600В; 96А; 833Вт; TO264MAX, MICROSEMI

Арт:
APT65GP60L2DQ2G, Транзистор: IGBT; PT; 600В; 96А; 833Вт; TO264MAX, MICROSEMI
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: APT65GP60L2DQ2G
  • Производитель: MICROSEMI
  • Доп.наименование: Транзистор: IGBT; PT; 600В; 96А; 833Вт; TO264MAX
  • Склад:
    Изображение товара дано только в качестве иллюстрации. См. спецификацию продукта (pdf)
    Заказать Цены указаны без НДС

    Транзистор: IGBT; PT; 600В; 96А; 833Вт; TO264MAX Технические параметры
    • Case: TO264MAX
    • Collector current: 96A
    • Collector-emitter voltage: 600V
    • Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
    • Gate - emitter voltage: ±30V
    • Gate charge: 210нКл
    • Kind of package: tube
    • Manufacturer: MICROSEMI
    • Mounting: THT
    • Power dissipation: 833W
    • Pulsed collector current: 250A
    • Technology: PT
    • Turn-off time: 220ns
    • Turn-on time: 85ns
    • Type of transistor: IGBT