КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыПолевые транзисторы малой мощностиПолевые транзисторы малой мощностиAPT50GT120LRDQ2G

APT50GT120LRDQ2G, Транзистор: IGBT; NPT; 1,2кВ; 50А; 694Вт; TO264, MICROSEMI

Арт:
APT50GT120LRDQ2G, Транзистор: IGBT; NPT; 1,2кВ; 50А; 694Вт; TO264, MICROSEMI
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: APT50GT120LRDQ2G
  • Производитель: MICROSEMI
  • Доп.наименование: Транзистор: IGBT; NPT; 1,2кВ; 50А; 694Вт; TO264
  • Склад:
    Изображение товара дано только в качестве иллюстрации. См. спецификацию продукта (pdf)
    Заказать Цены указаны без НДС

    Транзистор: IGBT; NPT; 1,2кВ; 50А; 694Вт; TO264 Технические параметры
    • Case: TO264
    • Collector current: 50A
    • Collector-emitter voltage: 1.2kV
    • Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
    • Gate - emitter voltage: ±30V
    • Gate charge: 240нКл
    • Kind of package: tube
    • Manufacturer: MICROSEMI
    • Mounting: THT
    • Power dissipation: 694W
    • Pulsed collector current: 150A
    • Technology: NPT
    • Turn-off time: 305ns
    • Turn-on time: 73ns
    • Type of transistor: IGBT