КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыПолевые транзисторы малой мощностиПолевые транзисторы малой мощностиAPT40GR120B2D30

APT40GR120B2D30, Транзистор: IGBT; NPT; 1,2кВ; 40А; 500Вт; T-Max, MICROSEMI

Арт:
APT40GR120B2D30, Транзистор: IGBT; NPT; 1,2кВ; 40А; 500Вт; T-Max, MICROSEMI
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: APT40GR120B2D30
  • Производитель: MICROSEMI
  • Доп.наименование: Транзистор: IGBT; NPT; 1,2кВ; 40А; 500Вт; T-Max
  • Склад:
    Изображение товара дано только в качестве иллюстрации. См. спецификацию продукта (pdf)
    Заказать Цены указаны без НДС

    Транзистор: IGBT; NPT; 1,2кВ; 40А; 500Вт; T-Max Технические параметры
    • Case: T-Max
    • Collector current: 40A
    • Collector-emitter voltage: 1.2kV
    • Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
    • Gate - emitter voltage: ±30V
    • Gate charge: 210нКл
    • Kind of package: tube
    • Manufacturer: MICROSEMI
    • Mounting: THT
    • Power dissipation: 500W
    • Pulsed collector current: 160A
    • Technology: POWER MOS 8®
    • Turn-off time: 232ns
    • Turn-on time: 47ns
    • Type of transistor: IGBT