КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыПолевые транзисторы малой мощностиПолевые транзисторы малой мощностиAPT33GF120B2RDQ2G

APT33GF120B2RDQ2G, Транзистор: IGBT; NPT; 1,2кВ; 30А; 357Вт; T-Max, MICROSEMI

Арт:
APT33GF120B2RDQ2G, Транзистор: IGBT; NPT; 1,2кВ; 30А; 357Вт; T-Max, MICROSEMI
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: APT33GF120B2RDQ2G
  • Производитель: MICROSEMI
  • Доп.наименование: Транзистор: IGBT; NPT; 1,2кВ; 30А; 357Вт; T-Max
  • Склад:
    Изображение товара дано только в качестве иллюстрации. См. спецификацию продукта (pdf)
    Заказать Цены указаны без НДС

    Транзистор: IGBT; NPT; 1,2кВ; 30А; 357Вт; T-Max Технические параметры
    • Case: T-Max
    • Collector current: 30A
    • Collector-emitter voltage: 1.2kV
    • Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
    • Gate - emitter voltage: ±30V
    • Gate charge: 170нКл
    • Kind of package: tube
    • Manufacturer: MICROSEMI
    • Mounting: THT
    • Power dissipation: 357W
    • Pulsed collector current: 75A
    • Technology: NPT
    • Turn-off time: 355ns
    • Turn-on time: 31ns
    • Type of transistor: IGBT