КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыПолевые транзисторы малой мощностиПолевые транзисторы малой мощностиAPT25GR120B

APT25GR120B, Транзистор: IGBT; NPT; 1,2кВ; 25А; 521Вт; TO247-3, MICROSEMI

Арт:
APT25GR120B, Транзистор: IGBT; NPT; 1,2кВ; 25А; 521Вт; TO247-3, MICROSEMI
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: APT25GR120B
  • Производитель: MICROSEMI
  • Доп.наименование: Транзистор: IGBT; NPT; 1,2кВ; 25А; 521Вт; TO247-3
  • Склад:
    Изображение товара дано только в качестве иллюстрации. См. спецификацию продукта (pdf)
    Заказать Цены указаны без НДС

    Транзистор: IGBT; NPT; 1,2кВ; 25А; 521Вт; TO247-3 Технические параметры
    • Case: TO247-3
    • Collector current: 25A
    • Collector-emitter voltage: 1.2kV
    • Gate - emitter voltage: ±30V
    • Gate charge: 154нКл
    • Kind of package: tube
    • Manufacturer: MICROSEMI
    • Mounting: THT
    • Power dissipation: 521W
    • Pulsed collector current: 100A
    • Technology: POWER MOS 8®
    • Turn-off time: 164ns
    • Turn-on time: 26ns
    • Type of transistor: IGBT