КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыПолевые транзисторы малой мощностиПолевые транзисторы малой мощностиAPT25GN120B2DQ2G

APT25GN120B2DQ2G, Транзистор: IGBT; Field Stop; 1,2кВ; 33А; 272Вт; T-Max, MICROSEMI

Арт:
APT25GN120B2DQ2G, Транзистор: IGBT; Field Stop; 1,2кВ; 33А; 272Вт; T-Max, MICROSEMI
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: APT25GN120B2DQ2G
  • Производитель: MICROSEMI
  • Доп.наименование: Транзистор: IGBT; Field Stop; 1,2кВ; 33А; 272Вт; T-Max
  • Склад:
    Изображение товара дано только в качестве иллюстрации. См. спецификацию продукта (pdf)
    Заказать Цены указаны без НДС

    Транзистор: IGBT; Field Stop; 1,2кВ; 33А; 272Вт; T-Max Технические параметры
    • Case: T-Max
    • Collector current: 33A
    • Collector-emitter voltage: 1.2kV
    • Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
    • Gate - emitter voltage: ±30V
    • Gate charge: 155нКл
    • Kind of package: tube
    • Manufacturer: MICROSEMI
    • Mounting: THT
    • Power dissipation: 272W
    • Pulsed collector current: 75A
    • Technology: Field Stop
    • Turn-off time: 560ns
    • Turn-on time: 39ns
    • Type of transistor: IGBT