КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыПолевые транзисторы малой мощностиПолевые транзисторы малой мощностиAPT200GN60B2G

APT200GN60B2G, Транзистор: IGBT; Field Stop; 600В; 158А; 682Вт; T-Max, MICROSEMI

Арт:
APT200GN60B2G, Транзистор: IGBT; Field Stop; 600В; 158А; 682Вт; T-Max, MICROSEMI
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: APT200GN60B2G
  • Производитель: MICROSEMI
  • Доп.наименование: Транзистор: IGBT; Field Stop; 600В; 158А; 682Вт; T-Max
  • Склад:
    Изображение товара дано только в качестве иллюстрации. См. спецификацию продукта (pdf)
    Заказать Цены указаны без НДС

    Транзистор: IGBT; Field Stop; 600В; 158А; 682Вт; T-Max Технические параметры
    • Case: T-Max
    • Collector current: 158A
    • Collector-emitter voltage: 600V
    • Gate - emitter voltage: ±20V
    • Gate charge: 1180нКл
    • Kind of package: tube
    • Manufacturer: MICROSEMI
    • Mounting: THT
    • Power dissipation: 682W
    • Pulsed collector current: 600A
    • Technology: Field Stop
    • Turn-off time: 690ns
    • Turn-on time: 130ns
    • Type of transistor: IGBT