КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыПолевые транзисторы малой мощностиПолевые транзисторы малой мощностиAPT150GN60B2G

APT150GN60B2G, Транзистор: IGBT; Field Stop; 600В; 123А; 536Вт; T-Max, MICROSEMI

Арт:
APT150GN60B2G, Транзистор: IGBT; Field Stop; 600В; 123А; 536Вт; T-Max, MICROSEMI
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: APT150GN60B2G
  • Производитель: MICROSEMI
  • Доп.наименование: Транзистор: IGBT; Field Stop; 600В; 123А; 536Вт; T-Max
  • Склад:
    Изображение товара дано только в качестве иллюстрации. См. спецификацию продукта (pdf)
    Заказать Цены указаны без НДС

    Транзистор: IGBT; Field Stop; 600В; 123А; 536Вт; T-Max Технические параметры
    • Case: T-Max
    • Collector current: 123A
    • Collector-emitter voltage: 600V
    • Gate - emitter voltage: ±30V
    • Gate charge: 970нКл
    • Kind of package: tube
    • Manufacturer: MICROSEMI
    • Mounting: THT
    • Power dissipation: 536W
    • Pulsed collector current: 450A
    • Technology: Field Stop
    • Turn-off time: 575ns
    • Turn-on time: 154ns
    • Type of transistor: IGBT