APT1201R6SVFRG, Транзистор: N-MOSFET; POWER MOS 5®; полевой; 1,2кВ; 8А; Idm: 32А, MICROSEMI
Арт:
- добавить в избранное
- Арт:
- Наименование: APT1201R6SVFRG
- Производитель: MICROSEMI
- Доп.наименование: Транзистор: N-MOSFET; POWER MOS 5®; полевой; 1,2кВ; 8А; Idm: 32А
- Склад:
Изображение товара дано только в качестве иллюстрации.
См. спецификацию продукта (pdf)
Транзистор: N-MOSFET; POWER MOS 5®; полевой; 1,2кВ; 8А; Idm: 32А Технические параметры
- Case: D3PAK
- Channel kind: enhanced
- Drain current: 8A
- Drain-source voltage: 1.2kV
- Gate charge: 230нКл
- Gate-source voltage: ±30V
- Manufacturer: MICROSEMI
- Mounting: SMD
- On-State Resistance: 1.6Ω
- Polarisation: unipolar
- Power dissipation: 280W
- Pulsed drain current: 32A
- Technology: POWER MOS 5®
- Type of transistor: N-MOSFET
