КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыПолевые транзисторы малой мощностиПолевые транзисторы малой мощностиAPT10M19SVRG

APT10M19SVRG, Транзистор: N-MOSFET; POWER MOS 5®; полевой; 100В; 75А; Idm: 300А, MICROSEMI

Арт:
APT10M19SVRG, Транзистор: N-MOSFET; POWER MOS 5®; полевой; 100В; 75А; Idm: 300А, MICROSEMI
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: APT10M19SVRG
  • Производитель: MICROSEMI
  • Доп.наименование: Транзистор: N-MOSFET; POWER MOS 5®; полевой; 100В; 75А; Idm: 300А
  • Склад:
    Изображение товара дано только в качестве иллюстрации. См. спецификацию продукта (pdf)
    Заказать Цены указаны без НДС

    Транзистор: N-MOSFET; POWER MOS 5®; полевой; 100В; 75А; Idm: 300А Технические параметры
    • Case: D3PAK
    • Channel kind: enhanced
    • Drain current: 75A
    • Drain-source voltage: 100V
    • Gate charge: 300нКл
    • Gate-source voltage: ±30V
    • Manufacturer: MICROSEMI
    • Mounting: SMD
    • On-State Resistance: 19mΩ
    • Polarisation: unipolar
    • Power dissipation: 370W
    • Pulsed drain current: 300A
    • Technology: POWER MOS 5®
    • Type of transistor: N-MOSFET