КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыПолевые транзисторы малой мощностиПолевые транзисторы малой мощностиAPT102GA60B2

APT102GA60B2, Транзистор: IGBT; PT; 600В; 102А; 780Вт; T-Max, MICROSEMI

Арт:
APT102GA60B2, Транзистор: IGBT; PT; 600В; 102А; 780Вт; T-Max, MICROSEMI
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: APT102GA60B2
  • Производитель: MICROSEMI
  • Доп.наименование: Транзистор: IGBT; PT; 600В; 102А; 780Вт; T-Max
  • Склад:
    Изображение товара дано только в качестве иллюстрации. См. спецификацию продукта (pdf)
    Заказать Цены указаны без НДС

    Транзистор: IGBT; PT; 600В; 102А; 780Вт; T-Max Технические параметры
    • Case: T-Max
    • Collector current: 102A
    • Collector-emitter voltage: 600V
    • Gate - emitter voltage: ±30V
    • Gate charge: 294нКл
    • Kind of package: tube
    • Manufacturer: MICROSEMI
    • Mounting: THT
    • Power dissipation: 780W
    • Pulsed collector current: 307A
    • Technology: PT
    • Turn-off time: 389ns
    • Turn-on time: 64ns
    • Type of transistor: IGBT