КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыПолевые транзисторы малой мощностиПолевые транзисторы малой мощностиMSCM20AM058G

MSCM20AM058G, Модуль; транзистор/транзистор; 200В; 250А; LP8; SiC; винтами, MICROSEMI

Арт:
MSCM20AM058G, Модуль; транзистор/транзистор; 200В; 250А; LP8; SiC; винтами, MICROSEMI
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: MSCM20AM058G
  • Производитель: MICROSEMI
  • Доп.наименование: Модуль; транзистор/транзистор; 200В; 250А; LP8; SiC; винтами
  • Склад:
    Заказать Цены указаны без НДС

    Модуль; транзистор/транзистор; 200В; 250А; LP8; SiC; винтами Технические параметры
    • Case: LP8
    • Drain current: 250A
    • Drain-source voltage: 200V
    • Manufacturer: MICROSEMI
    • Mechanical mounting: screw
    • Module type: MOSFET transistor
    • On-State Resistance: 5mΩ
    • Semiconductor structure: transistor/transistor
    • Technology: SiC
    • Topology: MOSFET half-bridge