КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыПолевые транзисторы малой мощностиПолевые транзисторы малой мощностиMSC080SMA120J

MSC080SMA120J, Модуль; одиночный транзистор; 1,2кВ; 26А; SOT227B; винтами; 200Вт, MICROSEMI

Арт:
MSC080SMA120J, Модуль; одиночный транзистор; 1,2кВ; 26А; SOT227B; винтами; 200Вт, MICROSEMI
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: MSC080SMA120J
  • Производитель: MICROSEMI
  • Доп.наименование: Модуль; одиночный транзистор; 1,2кВ; 26А; SOT227B; винтами; 200Вт
  • Склад:
    Заказать Цены указаны без НДС

    Модуль; одиночный транзистор; 1,2кВ; 26А; SOT227B; винтами; 200Вт Технические параметры
    • Case: SOT227B
    • Drain current: 26A
    • Drain-source voltage: 1.2kV
    • Electrical mounting: screw
    • Manufacturer: MICROSEMI
    • Mechanical mounting: screw
    • Module type: MOSFET transistor
    • On-State Resistance: 100mΩ
    • Power dissipation: 200W
    • Pulsed drain current: 91A
    • Semiconductor structure: single transistor
    • Technology: SiC