Список комплектующих, который есть на нашем складе в Санкт-Петербурге и доступен для заказа.
Подробнее

ГлавнаяКаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыПолевые транзисторы малой мощности
Цены указаны без НДС
FQT7N10LTF MOSFET, Single - N-Channel, 100V, 1.7A, 2W, SOT-223
арт:
302-30-877
MOSFET, Single - N-Channel, 100V, 1.7A, 2W, SOT-223
производитель:
ON SEMICONDUCTOR
Склад:
Цены указаны без НДС
FQT7N10LTF Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 1,36А; 2Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 1,36А; 2Вт; SOT223
производитель:
ON SEMICONDUCTOR
Склад:
Цены указаны без НДС
FQU11P06TU Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -5,95А; 38Вт; IPAK
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -5,95А; 38Вт; IPAK
производитель:
ON SEMICONDUCTOR
Склад:
Цены указаны без НДС
FQU17P06TU Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -7,6А; 44Вт; IPAK
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -7,6А; 44Вт; IPAK
производитель:
ON SEMICONDUCTOR
Склад:
Цены указаны без НДС
G2R1000MT17J Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 4А; Idm: 8А; 54Вт; TO263-7
Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 4А; Idm: 8А; 54Вт; TO263-7
производитель:
GeneSiC
Склад:
Цены указаны без НДС
G2R1000MT33J Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 3,3кВ; 4А; Idm: 8А; 74Вт; TO263-7
Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 3,3кВ; 4А; Idm: 8А; 74Вт; TO263-7
производитель:
GeneSiC
Склад:
Цены указаны без НДС
G2R120MT33J Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 3,3кВ; TO263-7
Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 3,3кВ; TO263-7
производитель:
GeneSiC
Склад:
Цены указаны без НДС
G3R160MT12J Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 16А; Idm: 40А; 128Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 16А; Idm: 40А; 128Вт
производитель:
GeneSiC
Склад:
Цены указаны без НДС
G3R160MT17J Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 15А; Idm: 48А; 187Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 15А; Idm: 48А; 187Вт
производитель:
GeneSiC
Склад:
Цены указаны без НДС
G3R20MT12N Модуль; одиночный транзистор; 1,2кВ; 74А; SOT227B; винтами; 365Вт
Модуль; одиночный транзистор; 1,2кВ; 74А; SOT227B; винтами; 365Вт
производитель:
GeneSiC
Склад:
Цены указаны без НДС
G3R20MT17N Модуль; одиночный транзистор; 1,7кВ; 70А; SOT227B; винтами; 523Вт
Модуль; одиночный транзистор; 1,7кВ; 70А; SOT227B; винтами; 523Вт
производитель:
GeneSiC
Склад:
Цены указаны без НДС
G3R30MT12J Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 68А; Idm: 200А; 459Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 68А; Idm: 200А; 459Вт
производитель:
GeneSiC
Склад:
Цены указаны без НДС
G3R40MT12J Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 53А; Idm: 140А; 374Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 53А; Idm: 140А; 374Вт
производитель:
GeneSiC
Склад:
Цены указаны без НДС
G3R450MT17J Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 6А; Idm: 16А; 91Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 6А; Idm: 16А; 91Вт
производитель:
GeneSiC
Склад:
Цены указаны без НДС
G3R75MT12J Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 30А; Idm: 80А; 224Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 30А; Idm: 80А; 224Вт
производитель:
GeneSiC
Склад:
Цены указаны без НДС
GT15J341,S4X(S Транзистор: IGBT; 600В; 15А; 30Вт; TO220FP
Транзистор: IGBT; 600В; 15А; 30Вт; TO220FP
производитель:
Toshiba
Склад:
Цены указаны без НДС
GT20J341,S4X(S Транзистор: IGBT; 600В; 11А; 45Вт; TO220FP
Транзистор: IGBT; 600В; 11А; 45Вт; TO220FP
производитель:
Toshiba
Склад:
Цены указаны без НДС
GT30J121(Q) Транзистор: IGBT; 600В; 30А; 170Вт; TO3PN
Транзистор: IGBT; 600В; 30А; 170Вт; TO3PN
производитель:
Toshiba
Склад:
Цены указаны без НДС
GT50JR21(STA1,E,S) Транзистор: IGBT; 600В; 49А; 230Вт; TO3PN
Транзистор: IGBT; 600В; 49А; 230Вт; TO3PN
производитель:
Toshiba
Склад:
Цены указаны без НДС
GT50JR22(STA1,E,S) Транзистор: IGBT; 600В; 44А; 115Вт; TO3PN
Транзистор: IGBT; 600В; 44А; 115Вт; TO3PN
производитель:
Toshiba
Склад: