КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыТранзисторы ДарлингтонаMJD122T4

MJD122T4, Транзистор: NPN; биполярный; Дарлингтон; 100В; 8А; 20Вт; DPAK, STM

Арт: 171-13-202
MJD122T4, Транзистор: NPN; биполярный; Дарлингтон; 100В; 8А; 20Вт; DPAK, STM
  • добавить в избранное
  • Арт: 171-13-202
  • Наименование: MJD122T4
  • Производитель: STM
  • Доп.наименование: Транзистор: NPN; биполярный; Дарлингтон; 100В; 8А; 20Вт; DPAK
  • Склад:
    Изображение товара дано только в качестве иллюстрации. См. спецификацию продукта (pdf)
    Заказать Цены указаны без НДС

    Транзистор: NPN; биполярный; Дарлингтон; 100В; 8А; 20Вт; DPAK Семейство Силовые пары Дарлингтона SMD Технические параметры
    • Base Emitter Saturation Voltage Max. (Vbe(sat)): 4.5V
    • Case: DPAK
    • Collector current: 8A
    • Collector Emitter Saturation Voltage Max. (Vce(sat)): 4V
    • Collector-Base Voltage (Vcbo): 100V
    • Collector-emitter voltage: 100V
    • Collector-Emitter Voltage (Vceo): 100V
    • Continuous Collector Current (Ic): 8A
    • Current gain: 100...1000
    • Emitter-Base Voltage (Vebo): 5V
    • Height Units: 3
    • Manufacturer: STM
    • Mounting: SMD
    • Mounting Type: SMD
    • Operating Temperature Max.: 150°C
    • Operating Temperature Min.: -65°C
    • Optical Sensor Output Type: NPN
    • Package Type: DPAK
    • Packaging: Tape & Reel
    • Phases: Single
    • Polarisation: bipolar
    • Power dissipation: 20W
    • Power Dissipation (Pd): 20W
    • Quantity: 100
    • Transistor kind: Darlington
    • Type of transistor: NPN