КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыТранзисторы ДарлингтонаMJ11032G

MJ11032G, Транзистор: NPN; биполярный; Дарлингтон; 120В; 30А; 300Вт; TO3, ON SEMICONDUCTOR

Арт: 171-05-208
MJ11032G, Транзистор: NPN; биполярный; Дарлингтон; 120В; 30А; 300Вт; TO3, ON SEMICONDUCTOR
  • добавить в избранное
  • Арт: 171-05-208
  • Наименование: MJ11032G
  • Производитель: ON SEMICONDUCTOR
  • Доп.наименование: Транзистор: NPN; биполярный; Дарлингтон; 120В; 30А; 300Вт; TO3
  • Склад:
    Изображение товара дано только в качестве иллюстрации. См. спецификацию продукта (pdf)
    Заказать Цены указаны без НДС

    Транзистор: NPN; биполярный; Дарлингтон; 120В; 30А; 300Вт; TO3 Семейство Силовые пары Дарлингтона Технические параметры
    • Base Emitter Saturation Voltage Max. (Vbe(sat)): 4.5V
    • Collector Emitter Saturation Voltage Max. (Vce(sat)): 3.5V
    • Collector-Base Voltage (Vcbo): 120V
    • Collector-Emitter Voltage (Vceo): 120V
    • Continuous Collector Current (Ic): 50A
    • Emitter-Base Voltage (Vebo): 5V
    • Manufacturer: ON SEMICONDUCTOR
    • Mounting Type: Through Hole
    • Number of Mating Cycles: 400
    • Operating Temperature Max.: 200°C
    • Operating Temperature Min.: -55°C
    • Optical Sensor Output Type: NPN
    • Outputs: 2
    • Package Type: TO-204
    • Packaging: Tray Foam
    • Phases: Single
    • Power Dissipation (Pd): 300W
    • Reflow Temperature Max.: 260°C