КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыМощные транзисторыMJE15030G

MJE15030G, Power transistor TO-220AB NPN 150 V, ON SEMICONDUCTOR

Арт: 171-07-030
MJE15030G, Power transistor TO-220AB NPN 150 V, ON SEMICONDUCTOR
  • добавить в избранное
  • Арт: 171-07-030
  • Наименование: MJE15030G
  • Производитель: ON SEMICONDUCTOR
  • Доп.наименование: Power transistor TO-220AB NPN 150 V
  • Склад:
    Изображение товара дано только в качестве иллюстрации. См. спецификацию продукта (pdf)
    Заказать Цены указаны без НДС

    Power transistor TO-220AB NPN 150 V Семейство Силовые транзисторы Технические параметры
    • Collector Emitter Saturation Voltage Max. (Vce(sat)): 500mV
    • Collector-Base Voltage (Vcbo): 150V
    • Collector-Emitter Voltage (Vceo): 150V
    • Continuous Collector Current (Ic): 8A
    • Emitter-Base Voltage (Vebo): 5V
    • Height Units: 3
    • Manufacturer: ON SEMICONDUCTOR
    • Mounting Type: Through Hole
    • Operating Temperature Max.: 150°C
    • Operating Temperature Min.: -65°C
    • Optical Sensor Output Type: NPN
    • Package Type: TO-220
    • Packaging: Tube
    • Phases: Single
    • Power Dissipation (Pd): 2W
    • Reflow Temperature Max.: 260°C
    • Ripple & Noise (%): -999
    • Sheets: 20
    • Transit Frequency: 30MHz