КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыМощные транзисторыMJE13007G

MJE13007G, Транзистор: NPN; биполярный; 400В; 8А; 80Вт; TO220, ON SEMICONDUCTOR

Арт: 171-06-206
MJE13007G, Транзистор: NPN; биполярный; 400В; 8А; 80Вт; TO220, ON SEMICONDUCTOR
  • добавить в избранное
  • Арт: 171-06-206
  • Наименование: MJE13007G
  • Производитель: ON SEMICONDUCTOR
  • Доп.наименование: Транзистор: NPN; биполярный; 400В; 8А; 80Вт; TO220
  • Склад:
    Изображение товара дано только в качестве иллюстрации. См. спецификацию продукта (pdf)
    Заказать Цены указаны без НДС

    Транзистор: NPN; биполярный; 400В; 8А; 80Вт; TO220 Семейство Силовые транзисторы Технические параметры
    • Base Emitter Saturation Voltage Max. (Vbe(sat)): 1.5V
    • Collector Emitter Saturation Voltage Max. (Vce(sat)): 3V
    • Collector-Emitter Voltage (Vceo): 400V
    • Continuous Collector Current (Ic): 8A
    • Emitter-Base Voltage (Vebo): 9V
    • Height Units: 5
    • Manufacturer: ON SEMICONDUCTOR
    • Mounting Type: Through Hole
    • Operating Temperature Max.: 150°C
    • Operating Temperature Min.: -65°C
    • Optical Sensor Output Type: NPN
    • Package Type: TO-220
    • Packaging: Tube
    • Phases: Single
    • Power Dissipation (Pd): 80W
    • Reflow Temperature Max.: 260°C
    • Ripple & Noise (%): -999
    • Transit Frequency: 4MHz