КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыТранзисторы малой мощностиТранзисторы маломощные2N7000-D26Z

2N7000-D26Z, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,2А; Idm: 0,5А; 0,4Вт; TO92, ON SEMICONDUCTOR

Арт: 302-40-217
2N7000-D26Z, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,2А; Idm: 0,5А; 0,4Вт; TO92, ON SEMICONDUCTOR
  • добавить в избранное
  • Арт: 302-40-217
  • Наименование: 2N7000-D26Z
  • Производитель: ON SEMICONDUCTOR
  • Доп.наименование: Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,2А; Idm: 0,5А; 0,4Вт; TO92
  • Склад:
    Изображение товара дано только в качестве иллюстрации. См. спецификацию продукта (pdf)
    Заказать Цены указаны без НДС

    Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,2А; Idm: 0,5А; 0,4Вт; TO92 Технические параметры
    • Case: TO92
    • Channel kind: enhanced
    • Continuous Drain Current (Id): 200mA
    • Drain current: 0.2A
    • Drain-source voltage: 60V
    • Drain-Source Voltage (Vds): 60V
    • Gate-Source Voltage: 20V
    • Gate-source voltage: ±20V
    • Height Units: 3
    • Manufacturer: ON SEMICONDUCTOR
    • Mounting: THT
    • Mounting Type: Through Hole
    • ON Resistance (Rds(on)): 5Ω
    • On-State Resistance: 9Ω
    • Operating Temperature Max.: 150°C
    • Operating Temperature Min.: -55°C
    • Package Type: TO-92
    • Packaging: Tape & Reel
    • Phases: Single
    • Polarisation: unipolar
    • Power dissipation: 0.4W
    • Power Dissipation (Pd): 350mW
    • Pulsed drain current: 0.5A
    • Reflow Temperature Max.: 300°C
    • Transistor Polarity: N-Channel
    • Type of transistor: N-MOSFET