2SK3878(F), Транзистор: N-MOSFET; полевой; 900В; 9А; 150Вт; TO3PN, Toshiba
Арт:
- добавить в избранное
- Арт:
- Наименование: 2SK3878(F)
- Производитель: Toshiba
- Доп.наименование: Транзистор: N-MOSFET; полевой; 900В; 9А; 150Вт; TO3PN
- Склад:
Изображение товара дано только в качестве иллюстрации.
См. спецификацию продукта (pdf)
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 900В; 9А; 150Вт; TO3PN Технические параметры
- Power: 150W
- Drain current: 9A
- Gate charge: 60nC
- Polarisation: unipolar
- Kind of package: tube
- Transistor type: N-MOSFET
- Gate-source voltage: ±30V
- Drain-source voltage: 900V
- Features of semiconductor devices: ESD protected gate
- Mounting: THT
- Case: TO3PN
- On-State Resistance: 1Ω
Документация
tm2sk3878.pdf
