2SK3799(Q,M), Транзистор: N-MOSFET; полевой; 900В; 8А; 50Вт; TO220FP, Toshiba
Арт:
- добавить в избранное
- Арт:
- Наименование: 2SK3799(Q,M)
- Производитель: Toshiba
- Доп.наименование: Транзистор: N-MOSFET; полевой; 900В; 8А; 50Вт; TO220FP
- Склад:
Изображение товара дано только в качестве иллюстрации.
См. спецификацию продукта (pdf)
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 900В; 8А; 50Вт; TO220FP Технические параметры
- Case: TO220FP
- Drain current: 8A
- Drain-source voltage: 900V
- Features of semiconductor devices: ESD protected gate
- Gate charge: 60нКл
- Gate-source voltage: ±30V
- Kind of package: tube
- Manufacturer: Toshiba
- Mounting: THT
- On-State Resistance: 1Ω
- Polarisation: unipolar
- Transistor type: N-MOSFET
- Мощность: 50W
Документация
tm2sk3799.pdf
