Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 3,7А; 1,4Вт; MicroFET Технические параметры
- Drain current: 3.7A
- Drain-source voltage: 20V
- Gate charge: 6нC
- Gate-source voltage: ±12В
- Housing: MicroFET
- Kind of package: лента
- Manufacturer: ON SEMICONDUCTOR
- Mount: SMD
- Mounting: SMD
- On-State Resistance: 0.09Ω
- Package: MicroFET
- Polarisation: unipolar
- Polarity: полевой
- Technology: PowerTrench®
- Transistor type: N-MOSFET x2
- Мощность: 1.4W
- Сопротивление в открытом состоянии: 0.09Ω
- Ток стока: 3.7A