Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -60А; 96Вт; NexFET™ Технические параметры
- Drain current: -60A
- Drain-source voltage: -20V
- Gate charge: 10.9нКл
- Gate-source voltage: ±12В
- Housing: VSON-CLIP8 3,3x3,3мм
- Kind of package: лента
- Manufacturer: Texas Instruments
- Mount: SMD
- Mounting: SMD
- On-State Resistance: 5.5mΩ
- Package: VSON-CLIP8 3,3x3,3mm
- Polarisation: unipolar
- Polarity: полевой
- Technology: NexFET™
- Transistor type: P-MOSFET
- Мощность: 96W
- Сопротивление в открытом состоянии: 5.5mΩ
- Ток стока: -60A