Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; -30/30В; -7,1/7,4А; 2,1Вт; SO8 Технические параметры
- Case: SO8
- Drain current: -7.1/7.4A
- Drain-source voltage: 30/-30В
- Gate-source voltage: ±20В
- Housing: SO8
- Kind of package: лента
- Manufacturer: Diodes/Zetex
- Mount: SMD
- Mounting: SMD
- On-State Resistance: 28/25mΩ
- Polarisation: unipolar
- Polarity: полевой
- Transistor type: N/P-MOSFET
- Мощность: 2.1W
- Сопротивление в открытом состоянии: 28/25мОм
- Ток стока: 7.4/-7.1А