Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; -30/30В; -8,5/5,5А; 1,2Вт; SO8 Технические параметры
- Case: SO8
- Drain current: -8.5/5.5A
- Drain-source voltage: 30/-30В
- Gate-source voltage: ±20В
- Housing: SO8
- Kind of package: лента
- Manufacturer: Diodes/Zetex
- Mount: SMD
- Mounting: SMD
- On-State Resistance: 20/45mΩ
- Polarisation: unipolar
- Polarity: полевой
- Transistor type: N/P-MOSFET
- Мощность: 1.2W
- Сопротивление в открытом состоянии: 20/45мОм
- Ток стока: 5.5/-8.5А