Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; -20/20В; -1,34/1,14А; 1,12Вт Технические параметры
- Case: SOT26
- Drain current: -1.34/1.14A
- Drain-source voltage: 20/-20В
- Gate-source voltage: ±6В
- Housing: SOT26
- Kind of package: бобина
- Manufacturer: Diodes/Zetex
- Mount: SMD
- Mounting: SMD
- On-State Resistance: 400/700mΩ
- Polarisation: unipolar
- Polarity: полевой
- Transistor type: N/P-MOSFET
- Мощность: 1.12W
- Сопротивление в открытом состоянии: 0.4/0.7Ом
- Ток стока: 1.14/-1.34А