Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; -20/20В; -7,8/6,3А; 1,8Вт; SO8 Технические параметры
- Case: SO8
- Drain current: -7.8/6.3A
- Drain-source voltage: 20/-20В
- Gate-source voltage: ±10В
- Housing: SO8
- Kind of package: лента
- Manufacturer: Diodes/Zetex
- Mount: SMD
- Mounting: SMD
- On-State Resistance: 20/33mΩ
- Polarisation: unipolar
- Polarity: полевой
- Transistor type: N/P-MOSFET
- Мощность: 1.8W
- Сопротивление в открытом состоянии: 20/33мОм
- Ток стока: 6.3/-7.8А