Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -20А; 25Вт; TO252 Технические параметры
- Case: TO252
- Drain current: -20A
- Drain-source voltage: -30V
- Gate charge: 8.2нC
- Gate-source voltage: ±20В
- Housing: TO252
- Manufacturer: AOS
- Mount: SMD
- Mounting: SMD
- On-State Resistance: 34MΩ
- Polarisation: unipolar
- Polarity: полевой
- Transistor type: P-MOSFET
- Мощность: 25W
- Сопротивление в открытом состоянии: 34mΩ
- Ток стока: -20A