КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыТранзисторы малой мощностиТранзисторы с резисторамиRN1909,LF(CT

RN1909,LF(CT, Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN x 2 BRT, Q1BSR=47kOhm, Q1BER=22kOhm, Q2BSR=47kOhm, Q2BER=22kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A, Toshiba

Арт: 757-RN1909LFCT
RN1909,LF(CT, Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN x 2 BRT, Q1BSR=47kOhm, Q1BER=22kOhm, Q2BSR=47kOhm, Q2BER=22kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A, Toshiba
  • добавить в избранное
  • Арт: 757-RN1909LFCT
  • Наименование: RN1909,LF(CT
  • Производитель: Toshiba
  • Доп.наименование: Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN x 2 BRT, Q1BSR=47kOhm, Q1BER=22kOhm, Q2BSR=47kOhm, Q2BER=22kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A
  • Склад:
    Заказать Цены указаны без НДС

    Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN x 2 BRT, Q1BSR=47kOhm, Q1BER=22kOhm, Q2BSR=47kOhm, Q2BER=22kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A Технические параметры
    • Manufacturer: Toshiba