ГлавнаяКаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыТранзисторы малой мощности
Цены указаны без НДС
RN1701,LF Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN x 2 BRT, Q1BSR=4.7kOhm, Q1BER=4.7kOhm, Q2BSR=4.7kOhm, Q2BER=4.7kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A
арт:
757-RN1701LF
Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN x 2 BRT, Q1BSR=4.7kOhm, Q1BER=4.7kOhm, Q2BSR=4.7kOhm, Q2BER=4.7kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A
производитель:
Toshiba
Склад:
Цены указаны без НДС
RN1701JE(TE85L,F) Bipolar Transistors - Pre-Biased ESV PLN (LF) TRANSISTOR Pd=200mW F=1MHz
арт:
757-RN1701JETE85LF
Bipolar Transistors - Pre-Biased ESV PLN (LF) TRANSISTOR Pd=200mW F=1MHz
производитель:
Toshiba
Склад:
Цены указаны без НДС
RN1702,LF Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN x 2 BRT, Q1BSR=10kOhm, Q1BER=10kOhm, Q2BSR=10kOhm, Q2BER=10kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A
арт:
757-RN1702LF
Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN x 2 BRT, Q1BSR=10kOhm, Q1BER=10kOhm, Q2BSR=10kOhm, Q2BER=10kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A
производитель:
Toshiba
Склад:
Цены указаны без НДС
RN1702JE(TE85L,F) Bipolar Transistors - Pre-Biased Gen Trans NPN x 2 ESV, 50V, 100A
арт:
757-RN1702JETE85LF
Bipolar Transistors - Pre-Biased Gen Trans NPN x 2 ESV, 50V, 100A
производитель:
Toshiba
Склад:
Цены указаны без НДС
RN1703,LF Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN x 2 BRT, Q1BSR=22kOhm, Q1BER=22kOhm, Q2BSR=22kOhm, Q2BER=22kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A
арт:
757-RN1703LF
Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN x 2 BRT, Q1BSR=22kOhm, Q1BER=22kOhm, Q2BSR=22kOhm, Q2BER=22kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A
производитель:
Toshiba
Склад:
Цены указаны без НДС
RN1703JE(TE85L,F) Bipolar Transistors - Pre-Biased ESV PLN (LF) TRANSISTOR Pd=200mW F=1MHz
арт:
757-RN1703JETE85LF
Bipolar Transistors - Pre-Biased ESV PLN (LF) TRANSISTOR Pd=200mW F=1MHz
производитель:
Toshiba
Склад:
Цены указаны без НДС
RN1704,LF Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN x 2 BRT, Q1BSR=47kOhm, Q1BER=47kOhm, Q2BSR=47kOhm, Q2BER=47kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A
Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN x 2 BRT, Q1BSR=47kOhm, Q1BER=47kOhm, Q2BSR=47kOhm, Q2BER=47kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A
производитель:
Toshiba
Склад:
Цены указаны без НДС
RN1704JE(TE85L,F) Bipolar Transistors - Pre-Biased ESV PLN (LF) TRANSISTOR Pd=200mW F=1MHz
арт:
757-RN1704JETE85LF
Bipolar Transistors - Pre-Biased ESV PLN (LF) TRANSISTOR Pd=200mW F=1MHz
производитель:
Toshiba
Склад:
Цены указаны без НДС
RN1705,LF Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN x 2 BRT, Q1BSR=2.2kOhm, Q1BER=47kOhm, Q2BSR=2.2kOhm, Q2BER=47kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A
арт:
757-RN1705LF
Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN x 2 BRT, Q1BSR=2.2kOhm, Q1BER=47kOhm, Q2BSR=2.2kOhm, Q2BER=47kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A
производитель:
Toshiba
Склад:
Цены указаны без НДС
RN1705JE(TE85L,F) Bipolar Transistors - Pre-Biased ESV PLN (LF) TRANSISTOR Pd=200mW F=1MHz
арт:
757-RN1705JETE85LF
Bipolar Transistors - Pre-Biased ESV PLN (LF) TRANSISTOR Pd=200mW F=1MHz
производитель:
Toshiba
Склад:
Цены указаны без НДС
RN1706,LF Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN x 2 BRT, Q1BSR=4.7kOhm, Q1BER=47kOhm, Q2BSR=4.7kOhm, Q2BER=47kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A
Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN x 2 BRT, Q1BSR=4.7kOhm, Q1BER=47kOhm, Q2BSR=4.7kOhm, Q2BER=47kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A
производитель:
Toshiba
Склад:
Цены указаны без НДС
RN1706JE(TE85L,F) Bipolar Transistors - Pre-Biased Gen Trans NPN x 2 ESV, 50V, 100A
Bipolar Transistors - Pre-Biased Gen Trans NPN x 2 ESV, 50V, 100A
производитель:
Toshiba
Склад:
Цены указаны без НДС
RN1707,LF Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN x 2 BRT, Q1BSR=10kOhm, Q1BER=47kOhm, Q2BSR=10kOhm, Q2BER=47kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A
арт:
757-RN1707LF
Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN x 2 BRT, Q1BSR=10kOhm, Q1BER=47kOhm, Q2BSR=10kOhm, Q2BER=47kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A
производитель:
Toshiba
Склад:
Цены указаны без НДС
RN1707JE(TE85L,F) Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN x 2 BRT SOT-553 50V
арт:
757-RN1707JETE85LF
Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN x 2 BRT SOT-553 50V
производитель:
Toshiba
Склад:
Цены указаны без НДС
RN1708,LF Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN x 2 BRT, Q1BSR=22kOhm, Q1BER=47kOhm, Q2BSR=22kOhm, Q2BER=47kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A
арт:
757-RN1708LF
Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN x 2 BRT, Q1BSR=22kOhm, Q1BER=47kOhm, Q2BSR=22kOhm, Q2BER=47kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A
производитель:
Toshiba
Склад:
Цены указаны без НДС
RN1708JE(TE85L,F) Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN x 2 BRT SOT-553 50V
арт:
757-RN1708JETE85LF
Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN x 2 BRT SOT-553 50V
производитель:
Toshiba
Склад:
Цены указаны без НДС
RN1709,LF Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN x 2 BRT, Q1BSR=47kOhm, Q1BER=22kOhm, Q2BSR=47kOhm, Q2BER=22kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A
арт:
757-RN1709LF
Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN x 2 BRT, Q1BSR=47kOhm, Q1BER=22kOhm, Q2BSR=47kOhm, Q2BER=22kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A
производитель:
Toshiba
Склад:
Цены указаны без НДС
RN1709JE(TE85L,F) Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN x 2 BRT SOT-553 50V
арт:
757-RN1709JETE85LF
Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN x 2 BRT SOT-553 50V
производитель:
Toshiba
Склад:
Цены указаны без НДС
RN1710,LF Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN x 2 BRT, Q1BSR=4.7kOhm, Q1BER=Inf.kOhm, Q2BSR=4.7kOhm, Q2BER=Inf.kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A
арт:
757-RN1710LF
Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN x 2 BRT, Q1BSR=4.7kOhm, Q1BER=Inf.kOhm, Q2BSR=4.7kOhm, Q2BER=Inf.kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A
производитель:
Toshiba
Склад:
Цены указаны без НДС
RN1710JE(TE85L,F) Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN x 2 BRT SOT-553 50V
арт:
757-RN1710JETE85LF
Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN x 2 BRT SOT-553 50V
производитель:
Toshiba
Склад: