ГлавнаяКаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыТранзисторы малой мощности
Цены указаны без НДС
арт:
757-RN1104MFVL3FCT
Bipolar Transistors - Pre-Biased TRANSISTOR
производитель:
Toshiba
Склад:
Цены указаны без НДС
арт:
757-RN1104MFVL3XHFCT
Bipolar Transistors - Pre-Biased AUTO AEC-Q Single NPN Q1BSR=47kO, Q1BER=47kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-723)
производитель:
Toshiba
Склад:
Цены указаны без НДС
арт:
757-RN1104MFVTL3T
Bipolar Transistors - Pre-Biased 50V VCBO 50V VCEO 100mA IC 150mA PC
производитель:
Toshiba
Склад:
Цены указаны без НДС
арт:
757-RN1105LF(CT
Bipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor Built-in transistor
производитель:
Toshiba
Склад:
Цены указаны без НДС
арт:
757-RN1105LXHFCT
Bipolar Transistors - Pre-Biased AUTO AEC-Q Single NPN Q1BSR=2.2kO, Q1BER=47kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-416)
производитель:
Toshiba
Склад:
Цены указаны без НДС
арт:
757-RN1105MFVL3FCT
Bipolar Transistors - Pre-Biased 2.2kohm 47kohm 0.1A SOT-723 50V
производитель:
Toshiba
Склад:
Цены указаны без НДС
арт:
757-RN1105MFVL3XHFCT
Bipolar Transistors - Pre-Biased AUTO AEC-Q NPN Q1BSR=2.2kO, Q1BER=47kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-723)
производитель:
Toshiba
Склад:
Цены указаны без НДС
арт:
757-RN1106LF(CT
Bipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor Built-in transistor
производитель:
Toshiba
Склад:
Цены указаны без НДС
арт:
757-RN1106LXHFCT
Bipolar Transistors - Pre-Biased AUTO AEC-Q Single NPN Q1BSR=4.7kO, Q1BER=47kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-416)
производитель:
Toshiba
Склад:
Цены указаны без НДС
арт:
757-RN1106MFVL3FCT
Bipolar Transistors - Pre-Biased 4.7kohm 47kohm 0.1A SOT-723 50V
производитель:
Toshiba
Склад:
Цены указаны без НДС
арт:
757-RN1106MFVL3XHFCT
Bipolar Transistors - Pre-Biased AUTO AEC-Q NPN Q1BSR=4.7kO, Q1BER=47kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-723)
производитель:
Toshiba
Склад:
Цены указаны без НДС
арт:
757-RN1107LF(CT
Bipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor Built-in transistor
производитель:
Toshiba
Склад:
Цены указаны без НДС
арт:
757-RN1107LXHFCT
Bipolar Transistors - Pre-Biased AUTO AEC-Q Single NPN Q1BSR=10kO, Q1BER=47kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-416)
производитель:
Toshiba
Склад:
Цены указаны без НДС
арт:
757-RN1107T5LFT
Bipolar Transistors - Pre-Biased BRT NPN Single 100mA IC 50V VCEO
производитель:
Toshiba
Склад:
Цены указаны без НДС
Bipolar Transistors - Pre-Biased 10kohm 47kohm 0.1A SOT-723 50V
производитель:
Toshiba
Склад:
Цены указаны без НДС
арт:
757-RN1107MFVL3XHFCT
Bipolar Transistors - Pre-Biased AUTO AEC-Q NPN Q1BSR=10kO, Q1BER=47kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-723)
производитель:
Toshiba
Склад:
Цены указаны без НДС
арт:
757-RN1108LFCT
Bipolar Transistors - Pre-Biased 22kohm 47kohm 0.1A SOT-346 50V
производитель:
Toshiba
Склад:
Цены указаны без НДС
арт:
757-RN1108LXHFCT
Bipolar Transistors - Pre-Biased AUTO AEC-Q NPN Q1BSR=22kO, Q1BER=47kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-416)
производитель:
Toshiba
Склад:
Цены указаны без НДС
арт:
757-RN1108MFVL3F
Bipolar Transistors - Pre-Biased TRANSISTOR
производитель:
Toshiba
Склад:
Цены указаны без НДС
Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50volts 3Pin 22K x 47Kohms
производитель:
Toshiba
Склад: