Управляемый диодный мост; Urmax:800В; If:32А; Igt:25мА; винтами Технические параметры
- Electrical mounting: под пайку
- Features of semiconductor devices: glass passivated
- Forward current: 32A
- Gate current: 25mA
- Gate voltage: 1.5V
- Housing: ECO-PAC 1
- Kind of package: россыпью
- Leads: проволока Ø0,75мм
- Load current: 32A
- Manufacturer: POWERSEM
- Max. forward impulse current: 180A
- Max. forward voltage: 1.6V
- Mechanical mounting: винтами
- Off state voltage max.: 800V
- Package: ECO-PAC 1
- Semiconductor structure: диод / тиристор
- Type of semiconductor component: управляемый диодный мост