Трехфазный диодный мост; SEMIPONT2; G18 Технические параметры
- Case: SEMIPONT2
- Electrical mounting: под пайку
- Forward current: 100A
- Gate current: 3A
- Gate voltage: 150mV
- Housing: SEMIPONT2
- Leads: винты М5
- Manufacturer: SEMIKRON
- Max. forward impulse current: 1kA
- Max. forward voltage: 1.95V
- Mechanical mounting: винтами
- Off state voltage max.: 800V
- Semiconductor structure: диод / тиристор
- Type of semiconductor component: управляемый диодный мост
- Variant: G18
- Version: G18