Rectifier diode DO-41 200 V Семейство Сверхбыстрые диоды с накоплением заряда, аксиальные Технические параметры
- Manufacturer: ON SEMICONDUCTOR
- Прямой ток: 1 А
- Тип корпуса: DO-41
- Configuration: Single
- Рабочая температура: -65...+175 °C
- Время восстановления: 50 ns
- Напряжение проводимости: <0.875 V
- Ток в закрытом состоянии: 5 µA
- Рабочая температура, мин.: -65 °C
- Рабочая температура, макс.: +175 °C
- Пиковое напряжение в закрытом состоянии: 200 В
