Rectifier diode 267-05 1000 V Семейство Сверхбыстрые диоды с накоплением заряда, аксиальные Технические параметры
- Manufacturer: ON SEMICONDUCTOR
- Прямой ток: 4 А
- Тип корпуса: 267-05
- Configuration: Single
- Рабочая температура: -65...+175 °C
- Время восстановления: 75 ns
- Напряжение проводимости: <1.85 V
- Ток в закрытом состоянии: 25 µA
- Рабочая температура, мин.: -65 °C
- Рабочая температура, макс.: +175 °C
- Пиковое напряжение в закрытом состоянии: 1000 В
