1N5407G, Диод: импульсный; THT; 800В; 3А; Ifsm: 200А; DO27; Ufmax: 1В; Ir: 50мкА, ON SEMICONDUCTOR
Арт:
- добавить в избранное
- Арт:
- Наименование: 1N5407G
- Производитель: ON SEMICONDUCTOR
- Доп.наименование: Диод: импульсный; THT; 800В; 3А; Ifsm: 200А; DO27; Ufmax: 1В; Ir: 50мкА
- Склад:
Диод: импульсный; THT; 800В; 3А; Ifsm: 200А; DO27; Ufmax: 1В; Ir: 50мкА Технические параметры
- Case: DO27
- Diode type: switching
- Leakage current: 50µA
- Load current: 3A
- Manufacturer: ON SEMICONDUCTOR
- Max. forward impulse current: 200A
- Max. forward voltage: 1V
- Mounting: THT
- Off state voltage max.: 800V
- Semiconductor structure: single diode