TVS diode SO-20, 1.3 V 27.5 W Семейство Матрица диодов для защиты от переходных процессов
18 подавляющих диодов в одном корпусе
Для защиты компьютеров, периферийных устройств и систем связи Технические параметры
- Manufacturer: NXP
- Полярность: двунаправленный
- Конструкция: 18-канальный
- Конструкция: 18-канальный
- Тип корпуса: SO-20
- Breakdown voltage: 7.2 В
- Температура, мин.: -65 °C
- Температура, макс.: +150 °C
- Напряжение смыкания: 11 V 2.5 A
- Температурный диапазон: -65...+150 °C
- Напряжение режима ожидания: 1.3 В
- Максимальное рассеяние мощности импульса: 27.5 Вт
